| 主权项 |
1﹒一种光学记录介质,其含有一基板与一形成于其上之记录层;其中记录层以能量束辐射以在其上形成对应于既定讯息区之麻点且藉以记录讯息区,上述记录层系为实质由Te组成且另外合有C与H之薄膜且上述基板含有由乙烯单位与衍生自下列通式(1)之环烯烃单位组成之环烯烃规共聚物。式中n为0或正整数,R1至R12为同或不同者,且示氢原子,卤原子或烃基,条件是R9至R12,当聚集时,可形成可任意具有双键或键结之单一或多环烃,或R9与R10或R11与R12,当聚集时,可形成亚烷基,该基板合有具不低于70℃之软化温度(TMA)之环烯烃无规共聚物。2﹒如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中在记录层中C之含量基于存于记录层中之总原子为少于40原子%。3﹒如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中记录层中H含量基于存于记录层中之总原子为由1至40原子%。4﹒如申请专利范围第1项之光学记录介质,其中记录层之膜厚是由100A至1m。5﹒一种光学记录介质,其含有基板及形成于其上之记录层,其中记录层系以能量束辐射以在其上形成相当于讯息区之麻点并藉以记录讯息区,上述记录层系为一实质由Te组成且另外含有C及H之薄膜且上述基板系由环烯烃无规共聚物组合物形成,其包含(A)一环烯烃无规共聚物,其含有乙烯单位及衍生自下列通式[I]之环烯烃单位且具有在135℃烷中测量之由0﹒05至10di/g之特性黏度[7]及不低于70℃之软化温度(TMA),及[B]一环烯烃无规共聚物,其含有乙炳单位与衍生自下列通式[I)之环炳烃单位且具有在135℃烷中测量之由0﹒05至5d1/g之特性黏度[7]及低于70℃之软化沮度(TMA),其比例为上述组份IA1对上述组份[B]之重量比在由100/0﹒1至100/10之范围中,通式(I)中,n为0或正整数,且R1至R12系同或不同者且个别示氢原子,卤卤原子或烃基,条件是R9至R12,当聚集时,可形成任意具有双键结之一单一或多环烃环,或R10或R11与R12,当聚集时,可形成亚烷基。6﹒如申请专利范围第5项之光学记录介质,其中记录层中C含量基于存于记录层中之熜原子系少于40原子%。7﹒如申请专利范围第5项之光学记录介质,其中记录层中H含量基于存于记录层中之总原子为由1至40原子%。8﹒如申请专利范围第5项之光学记录介质,其中记录层之膜厚是由100A至1m。图示简单说明图1为本发明光学记录介质之一实例之横切面略视图。图2为本发明光学记录介质之另一实例之横切面略视图。 |
