发明名称 离子植入装置及其控制方法
摘要 一离子植入装置包含:一植入室,一离子束进入此室中,该离子束在一X方向中扫描;用以将一晶片保持于该植入室中之一保持器;一保持器驱动单元,其于该离子束中在实质上垂直于该X方向之一Y方向中以机械方式扫动该保持器。该保持器驱动单元以摆动方式使该保持器旋转,使得该晶片在该Y方向中以机械方式扫动。
申请公布号 TW153534 申请公布日期 1991.03.11
申请号 TW079103939 申请日期 1990.05.15
申请人 日新电机股份有限公司 发明人 长井宣夫;野上司
分类号 B23Q47/00 主分类号 B23Q47/00
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号白宫企业大楼一一一二室
主权项 1﹒一种离子植入装置,包含:一植入室,一离子束进入此室中,该离子束在一X方向中扫描;用以将一晶片保持于该植入室中之一保持器;一保持器驱动单元,其于该离子束中在实质上垂直于该X方向之一Y方向中以机械方式扫动该保持器;其中该保持器驱动单元包含配置于该植入室一侧壁部份上且具有直空密封功能之一轴承;在该X方向中通过该轴承之一心轴;一第一可逆转直接驱动电动机,其输出轴在该植入室外侧连接于该心轴之一末端部份;一第二可逆转直接驱动电动机,其输出轴于该植入室内侧连接于该心轴之一末端部份,该第二直接电动机之该输出轴几乎垂直于该心轴;以几乎垂直之方式连接于该第二直接驱动电动机之该输出轴的一臂;以及一第三可逆转直接驱动电动机,其输出轴以几乎垂直方式连接于该臂;且该保持器以几乎垂直方式连接于该第三直接驱动电动机之输出轴者。2﹒如申请专利范围第1项之离子植入装置,其中该保持器驱动单元包含一中空臂轴,其以枢接方式支持于该植入室中之方式使得该臂轴以几乎平行于该离子束运动方向之方式放置;以可施转方式在向前与向后方向中驱动该臂之一驱动机构;以可施转方式通过该臂轴之一中间轴,此中间轴不随该臂轴旋转;一保持器轴,其以枢接方式支持于臂之一末端部份,使得该保持器以几乎平行于该离子束运动方向之方式放置;该保持器以几乎垂直之方式连接于该保持器轴之一末端部份;以及以一既定旋体比率连接该保持器轴与该中间轴之连接机构者。3﹒如申请专利范围第1项之一离子植入装置,其中该离子束仅藉一电扫描系统扫描者。4﹒如申请专利范围第1项之一离子植入装置,更包含用以保持一第二晶片之一第二保持器与位于该植入室中之一第二保持驱动单元,该二保持器与该二保持器驱动单元互相相当,使得当离子植入该等晶片中之一时,该等晶片中之另一晶片自该保持器取出或安装于该保持器上者。5﹒如申请专利范围第1项之一离子植入装置,其中该离子束藉一磁场使其以平行方式安排者。6﹒如申请专利范围第1项之一离子植入装置,其中该离子束藉一电场使其以平行方式安排者。7﹒如申请专利范围第1项之一离子植入装置,更包含在一预定植入角位置驱动该保持器之机构者。8﹒如申请专利范围第1项之一离子植入装置,更包含相对于该离子束以步进方式使该保持器旋转一预定角度之机构者。9﹒一种用以控制离子植入装置之方法,包含下列各步骤:以电方式在─X方向中扫一离子束;以摆动方式旋转一臂;以及以机械方式在实质上垂直于该X方向之一Y方向中于该离子束之照射区域中扫动保持器该臂一端之一晶片,该晶片保持于一特殊方位,该方法之改良包含下述步骤:控制一角速度,俾满足下列方程或实实上与其相当之关系:={a=/(L臂﹒COS)}I其中I:该离子束之束电流,L臂:该臂之摆动中心与该晶片中心间之长度,:该臂摆离X方向之角度,:该臂摆动时之角度速度,以及:一比率常数。图示简单说明图1为一透视图,显示一习用离子植入装置之主要部份;图2为一水平剖视图,显示依本发明第一实施例之离子植入装置的主要部份;图3为一顶视轮廓图,显示一离子束电扫描机之一实例;图4显示扫描时受图2所示之一保持器驱动单元驱动的一保持器之状态;图5与6为沿图2中I一I线所取之二剖视图,此二图显示不同之操作状态;图7为显示图2中一晶片传递单元之透视图;图8为一透视图,其显示依本发明第二实施例之离子植入装置的主要部份;图9显示扫描时受图8中一保持器驱动单元所驱动之一保持器的状态;图10为一概念图,其说明依本发明第三实施例之控制方法,图11为该臂之角度说明图。
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