| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Darlington-Transistorschaltung mit einem Leistungstransistor T1 und einem Treibertransistor T2 in einem in Planartechnik hergestellten Chip. Eine Deckelektroden-Metallisierung (18) ist über der Raumladungszone, die sich im Bereich des pn-Übergangs an der Chipoberseite zwischen Basis und Kollektor ausbildet, vorgesehen. Weiter ist ein Spannungsteiler vorgesehen, mit einer Verbindung zu der Deckelektroden-Metallisierung (18), wobei über das elektrische Potential der Deckelektroden-Metallisierung (18) die Transistor-Durchbruchspannung UCE einstellbar und dieses Potential durch die Einstellung des Spannungsteilers bestimmt ist. Erfindungsgemäß wird dieses Einstellpotential und damit die Durchbruchspannung UCE über eine zusätzliche Referenzspannung geregelt, wodurch eine Stabilisierung der Durchbruchspannung und insbesondere eine weitgehende Unabhängigkeit von Temperatureinflüssen, Langzeitdriften und Montageabhängigkeiten erreicht wird.</p> |
