发明名称 |
一种热释电材料(K<SUB>2</SUB>ZnCl<SUB>4</SUB>晶体)的制备 |
摘要 |
本发明属于红外热释电材料。K<SUB>2</SUB>ZnCl<SUB>4</SUB>是一种新型热释电材料,具有很好的热释电性能,其热释电系数(P)=1.3×10<SUP>-8</SUP>(库/厘米<SUP>2</SUP>·度),介电常数3.8,居里温度(Tc)为120℃,优比值(P/ε)约3.42×10<SUP>-9</SUP>(库/厘米<SUP>2</SUP>·度),它是一种很有应用前景的热释电材料。 |
申请公布号 |
CN1049689A |
申请公布日期 |
1991.03.06 |
申请号 |
CN89106607.1 |
申请日期 |
1989.08.24 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
郑吉民;车云霞;申泮文 |
分类号 |
C30B29/12;C30B7/04;H01L37/02 |
主分类号 |
C30B29/12 |
代理机构 |
南开大学专利事务所 |
代理人 |
王惠林;谭海安 |
主权项 |
1、一种红外热释电单晶体(结构式为K2ZnCl4)的制备方法,其特征是把KCl和ZnCl2按摩尔比2∶1进行化合(反应式为2KCl+ZnCl2=K2ZnCl4),然后把得到的K2ZnCl4用去离子水溶解,并置于蒸发槽中,采用蒸发法生长晶体,所用去离子水的重量为育晶液总重量的10-20%。 |
地址 |
天津市卫津路94号 |