发明名称 IMPROVED ETCH CHAMBER WITH GAS DISPERSING MEMBRANE.
摘要 Les gaz de traitement contenus dans une chambre de gravure (10) de tranches semi-conductrices (W) sont dispersés par une membrane plastique poreuse (20) intercalée entre la source (21) des gaz et la tranche (W) en train d'être traitée. Un orifice périphérique de sortie (23) ménagé dans la paroi de la chambre, par lequel les gaz sont évacués, est également recouvert d'une membrane plastique poreuse (27).
申请公布号 EP0414859(A1) 申请公布日期 1991.03.06
申请号 EP19900903706 申请日期 1990.02.12
申请人 FSI INTERNATIONAL, INC. 发明人 SYVERSON, DANIEL, J.;NOVAK, RICHARD, E.
分类号 H01J37/32;H01L21/00 主分类号 H01J37/32
代理机构 代理人
主权项
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