| 发明名称 |
FET, IGBT AND MCT STRUCTURES WITH IMPROVED OPERATING CHARACTERISTICS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0352266(A) |
申请公布日期 |
1991.03.06 |
| 申请号 |
JP19900111917 |
申请日期 |
1990.05.01 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC CO <GE> |
发明人 |
TATOOSHINGU POORU CHIYOU;BIKUTAA ARUBAATO KEISU TENPURU |
| 分类号 |
H01L29/68;H01L21/336;H01L29/167;H01L29/739;H01L29/745;H01L29/749;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/68 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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