| 发明名称 |
Fabrication of CMOS integrated devices with reduced gate length and lightly doped drain |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4997782(A) |
申请公布日期 |
1991.03.05 |
| 申请号 |
US19890386189 |
申请日期 |
1989.07.28 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
BERGONZONI, CARLO |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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