| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE DOPED WITH GOLD JUST TO THE POINT OF NO EXCESS AND METHOD OF MAKING |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3445736(A) |
申请公布日期 |
1969.05.20 |
| 申请号 |
USD3445736 |
申请日期 |
1966.10.24 |
| 申请人 |
TRANSITRON ELECTRONIC CORP. |
发明人 |
DAVID H. NAVON;EDWIN S. DAVIS |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/22;H01L29/00;(IPC1-7):H01L11/00;H01L15/00;H01L7/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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