MEASURING METHOD OF TEMPERATURE DISTRIBUTION OF WAFER IN EPITAXIAL GROWTH DEVICE,申请号JP19890180542-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	MEASURING METHOD OF TEMPERATURE DISTRIBUTION OF WAFER IN EPITAXIAL GROWTH DEVICE
摘要
申请公布号	JPH0345590(A)	申请公布日期	1991.02.27
申请号	JP19890180542	申请日期	1989.07.14
申请人	KAWASAKI STEEL CORP	发明人	MAEDA JUN
分类号	C30B25/10;H01L21/205	主分类号	C30B25/10
代理机构		代理人
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