INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR,申请号JP19890182006-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	INSULATED GATE TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPH0346369(A)	申请公布日期	1991.02.27
申请号	JP19890182006	申请日期	1989.07.14
申请人	NEC CORP	发明人	ISHIZAKA MASASHIGE
分类号	H01L29/78	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
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