| 发明名称 |
Method of producing a mesa MOS transistor of the silicon on insulator type. |
| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS formé dans un pavé de silicium sur isolant à flancs arrondis convexes, consistant initialement à découper le pavé dans une couche mince de silicium monocristallin sur isolant. Dans ce procédé la découpe du pavé comprend les étapes suivantes : former à l'emplacement où l'on veut obtenir le pavé une portion de couche de masquage (3) d'une épaisseur légèrement supérieure à celle de la couche mince de silicium sur isolant ; déposer une deuxième couche de silicium (11) d'une épaisseur prédéterminée ; et soumettre le système à une gravure anisotrope jusqu'à ce que l'isolant soit apparent en dehors de la portion de couche de masquage.</p> |
| 申请公布号 |
EP0413645(A1) |
申请公布日期 |
1991.02.20 |
| 申请号 |
EP19900420374 |
申请日期 |
1990.08.09 |
| 申请人 |
ETAT FRANCAIS REPRESENTE PAR LE MINISTRE DES POSTES, TELECOMMUNICATIONS ET DE L'ESPACE |
发明人 |
HAOND, MICHEL;GALVIER, JEAN |
| 分类号 |
H01L21/3213;H01L21/336;H01L21/84 |
主分类号 |
H01L21/3213 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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