VERTICAL-TYPE DOUBLE DIFFUSED MOSFET,申请号JP19890166785-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	VERTICAL-TYPE DOUBLE DIFFUSED MOSFET
摘要
申请公布号	JPH0334467(A)	申请公布日期	1991.02.14
申请号	JP19890166785	申请日期	1989.06.30
申请人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT>	发明人	SERADA TAKATSUGU;SAKAI TATSURO;YANAI TOSHIAKI
分类号	H01L29/78	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
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