| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de fabrication par épitaxie de couches monocristallines de matériaux à paramètres de maille différents.Le procédé comporte les étapes suivantes : - une première étape de dépôt par épitaxie sur une première couche 1 en un matériau présentant un paramètre de maille déterminée, d'une deuxième couche 2 d'épaisseur déterminée en un matériau présentant un paramètre de maille différent de celui de la première couche, - une deuxième étape d'implantation ionique de manière à créer dans la deuxième couche une zone 4 limitant la propagation des dislocations, et au moins - une troisième étape de dépôt par épitaxie sur la deuxième couche d'une troisième couche 5 réalisée dans le même matériau que celui de la deuxième couche.L'invention s'applique notamment à la fabrication de dispositifs optoélectroniques ou hyperfréquences réalisés en AsGa sur substrat Si.
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