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Um digitale Halbleiterspeicher, die aus einer Vielzahl von zeilen- und spaltenweise angeordneten Speicherzellen (S1,...,S4) bestehen, auf ihre Funktionssicherheit prüfen zu können, wird vorgeschlagen, im Halbleiterspeicher voneinander elektrisch getrennte Spannungsversorgungsleitungen (SV1,SV2) für die Speicherzellen (S1,...,S4) und für die Treiberstufen (TS) der Auswahlleitungen (AL) (Wortleitungen) vorzusehen. Ein positiver bzw. negativer Differenzwert zwischen den Spannungen auf den Spannungsversorgungsleitungen (SV1,SV2) vergrößert bzw. verkleinert gezielt den Durchgangswiderstand der die Speicherzellen zum Lesen oder Schreiben an Datenleitungen (DL,DR) ankoppelnden Tortransistoren (TL,TR).
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