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经营范围
发明名称
HIGH BREAKDOWN STRENGTH SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
JPH0325970(A)
申请公布日期
1991.02.04
申请号
JP19890161681
申请日期
1989.06.23
申请人
NEC CORP
发明人
WATANABE TOSHIO
分类号
H01L21/8238;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/092
主分类号
H01L21/8238
代理机构
代理人
主权项
地址
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