| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un point de croisement pour une matrice de commutation constitué de transistors MOS à enrichissement à canal P et à canal N. Chaque conducteur (Ii1, Ii2) de ligne d'entrée est connecté à une entrée d'un premier amplificateur différentiel (M3, M4) dont chaque branche est associée par un montage en miroir de courant à une première source de courant (M9, M10, M11) validée par une entrée de sélection (Sij) du point de croisement. Les sorties du premier amplificateur différentiel sont reliées à une paire différentielle de transistors MOS (M1, M2) alimentés par une deuxième source de courant (I) commune à tous les points de croisement d'une même colonne. Les sorties de la paire différentielle sont reliées à la paire de conducteurs (Oj1, Oj2) d'une colonne de sortie, une extrémité de cette colonne étant reliée à la source de tension haute (Vdd) par l'intermédiaire d'une résistance (R).</p> |
