| 发明名称 | 氢敏元件及制造法 | ||
| 摘要 | 本发明氢敏元件及制造方法，其特征在于所述的氢敏元件是一种改质处理金属氧化物半导体气敏元件的敏感膜，形成具有分子筛过滤功能的二氧化硅氢气透过膜的改质型金属氧化物半导体氢敏元件。其制造方法是将按传统工艺制备的包括氢气在内的金属氧化物半导体气敏元件放置于特定的有机硅盐气氛中熏陶，自然生长一定厚度的二氧化硅氢气透过膜。本发明氢敏元件具有对氢气的高选择性和响应性优良效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1048770A | 申请公布日期 | 1991.01.23 |
| 申请号 | CN90104738.4 | 申请日期 | 1990.07.17 |
| 申请人 | 穆宝贵;黎丽琳 | 发明人 | 穆宝贵;黎丽琳 |
| 分类号 | H01L49/00;G01N27/12 | 主分类号 | H01L49/00 |
| 代理机构 | 哈尔滨市专利事务所 | 代理人 | 李华 |
| 主权项 | 1、包括氢气在内的金属氧化物半导体气敏元件经表面改质处理而形成的一种氢敏元件，其特征在于所述的气敏元件的金属氧化物半导体敏感膜附有一层二氧化硅氢气透过膜； | ||
| 地址 | 150010黑龙江省哈尔滨市道里区太阳岛通江晶体管厂 | ||