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发明名称 INTERSTITIAL DOPING IN III-V SEMICONDUCTORS TO AVOID OR SUPPRESS DX CENTRE FORMATION
摘要
申请公布号 EP0371684(A3) 申请公布日期 1991.01.23
申请号 EP19890312111 申请日期 1989.11.22
申请人 XEROX CORPORATION 发明人 CHADI, JAMES D.
分类号 H01L29/812;H01L21/205;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/338;H01L29/205;H01L29/207;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/207 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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