| 主权项 |
1﹒一种光学记录材料,其包含:一疏水黏合剂之薄膜或膜;其中该疏水黏合剂为一可溶于水或60℃温水且具有玻璃化转移温度10℃-140℃之有机聚合化合物;及分散于该薄膜或膜内具有直径为0﹒003m-3m之金属粒子,其中,该金属粒子之密度在接近该薄膜或膜之至少一表面较该薄膜或膜之另一部份更高,各金属粒子具有核及外涂膜,该外涂膜包含至少一选自银、金、铜、碲、铋、钯、钴、镍、铅、铬及钛所组成之族群之金属,其中,该薄膜或膜在该金属粒子之密度较高之表面的反射比为10-90%,其中光学记录材料在金属粒子密度较薄膜或膜之另一部份更高之表面(a)的反射比与邻接表面(a)之部份(b)的反射比具有下面关系X─Y0﹒03≦─≦0﹒9X+Y(其中,X为表面(a)之反射比;而Y为部份(b)之反射比),又其中光学记录材料之厚度为10m者。2﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中反射比为25-60%者。3﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中表面(a)之反射比与部份(b)之反射比具有下面关系:X─Y0﹒2≦─≦0﹒8X+Y(其中,X为表面(a)之反射比;而Y为部份(b)之反射比)。4﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中核为至少一外涂膜之金属或至少一较外涂膜之金属更贵重之金属者。5﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中外涂膜为银者。6﹒如申请专利范围第5项所述之光学记录材料,其中核为银或一较银更贵重之金属者。7﹒如申请专利范围第6项所述之光学记录材料,其中较银更贵重之金属为钯、铂、铑、钌、铊、汞、其合金,其硫化物或其氧化炕@囿怴C8﹒如申请专利范围第6项所述之光学记录材料,其中核为银者。9﹒如申请专利范围第7项所述之光学记录材料,其中较银更贵重之金属为钯者。10﹒如申请专利范围第7项所述之光学记录材料,其中较银更贵重之金属为金者。11﹒如申请专利范围第7项所述之光学记录材料,其中较银更贵重之金属为铂者。12﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中疏水黏合剂具有玻璃化转移温度为40℃-110℃者。13﹒如申请专利范围第12项所述之光学记录材料,其中疏水黏合剂为聚乙烯丁缩醛者。14﹒如申请专利范围第12项所述之光学记录材料,其中疏水黏合剂为聚甲基丙烯酸甲酯者。15﹒如申请专利范围第12项所述之光学记录材料,其中疏水黏合剂为聚碳酸酯者。16﹒如申请专利范围第12项所述之光学记录材料,其中疏水黏合剂为氯乙烯─醋酸乙烯共聚物者。17﹒如申请专利范围第12项所述之光学记录材料,其中疏水黏合剂为聚异丁烯者。18﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中疏水黏合剂之薄膜或膜包含卤化银或卤化银形成剂者。19﹒如申请专利范围第18项所述之光学记录材料,其包含卤化银形成剂,且其中卤化银成形剂为卤化氢、金属卤化物、卤素分子,有机N─卤代醯胺、二芳基卤代甲烷、卤化铵、周期表之IV、V及VI族元素之有机卤化物化合物或磷酸三苯酯之二卤化物者。20﹒如申请专利范围第18项所述之光学记录材料,其中卤化银成形剂为金属卤化物者。21﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中疏水黏合剂之薄膜或膜在半导体雷射之波长区内包含一光吸收剂者。22﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其表面在半导体雷射之波长区内包含一光吸收剂之薄层者。23﹒如申请专利范围第22项所述之光学记录材料,其中光吸收剂薄层之厚度为500A-5m者。24﹒如申请专利范围第21项所述之光学记录材料,其中光吸收剂为花青染料者。25﹒如申请专利范围第21项所述之光学记录材料,其中光吸收剂为薁染料者。26﹒如申请专利范围第21项所述之光学记录材料,其中光吸收剂为镍─二硫醇络合物者。27﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中硫水黏合剂之薄膜或膜包含调色剂者。28﹒如申请专利范围第27项所述之光学记录材料,其中调色剂为酮者。29﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中疏水黏合剂之薄膜或膜包含抗雾化剂者。30﹒如申请专利范围第29项所述之光学记录材料,其中抗雾化剂为1,1,1',1'─四溴邻二甲苯者。31﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其系被设在基体上者。32﹒如申请专利范围第31项所述之光学记录材料,其中基体为金属、玻璃或塑胶之薄膜、片或板者。33﹒如申请专利范围第31项所述之光学记录材料,其中塑胶之薄膜或片被层合在基体上者。34﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中透明薄膜、片或板被层合在光学记录材料之表面上者。35﹒如申请专利范围第1项所述之光学记录材料,其中欲读取之资讯被预记录于光学记录材料内者。36﹒如申请专利范围第35项所述之光学记录材料,其中欲读取之资讯被预记录于光学记录材料之一部份内者。37﹒如申请专利范围第35项所述之光学记录材料,其中欲读取之资讯被预记录于整个光学记录材料内者。38﹒一种如申请专利范围第1项所述之光学记录材料之制法,其包含之步骤为:在基体上形成一光学记录材料用之组成物之层﹛@A该组成物包含一选自有机金属盐、有机金属络合物及有机金纂@搮X合物化合物所组成之群中之自有机金属化合物,其金属为说@B金、铜、碲、铋、钯、铂、铑、钴、镍、铅、铬或钛,且央@i单独或与一可还原该有机金属化合物之化合物一起形成具有炕@荫|为0﹒003m-3m之金属粒子;及一疏水黏合剂﹛@A该疏水黏合剂为一可溶于水或60℃温水且具有玻璃化转移楚@赎蛁陕砭J-140℃之有机聚合化合物;其中疏水黏合剂之间@q为有机金属化合物100重量份基准之10-1000重量央@驉F将该有机金属化合物之金属或较该有机金属化合物之金属均@騥Q重之金属的薄层设在光学记录材料用之该组成物之层的表迭@惜W;及将在其表面具有该有机金属化合物之金属或较该有机炕@鷵搕X物之金属更贵重之金属的该薄层之该组成物之层在温哄@蚻陕揣砭J-200℃下加热1秒-10分钟者。39﹒一种如申请专利范围第1项所述之光学记录材料之制法,其包含之步骤为:将可形成具有直径0﹒003m-3m之金属粒子且系选自有机金属盐、有机金属络合物及有机金属钳合物化合物(其金属为银、金、铜、碲、铋、钯、铂、铑、钴、镍、铅、铬或钛)所组成之群中之有机金属化合物之金属或该有机金属化合物之金属更贵重之金属之薄层设在一基体之表面上;形成一光学记录材料用之组成物之层,该组成物包含单独或与可还原该有机金属化合物之化合物一起之该有机金属化合物;及疏水黏合剂,该疏水黏合剂为一可溶于水或60℃温水且具有玻璃化转移温度10℃-140℃之有机聚合化合物;疏水黏合剂之量为有机金属化合物100重量份基准之10-1000重量份;及在温度50℃-200℃下在该基体之侧,将在其表面具有该有机金属化合物之金属或较该有机金属化合物之金属更贵重之金属之该薄层的该组成物之层加热1秒-10分钟者。40﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其包含在加热步骤前,将该有机化合物之金属或较该有机金属化合物之金属更贵重之金属之薄层设在光学记录材料用之该组成物之层的表面上之步骤者。41﹒如申请专利范围第38或39项所述之方法,其中加热步骤系在温度为70℃-150℃下实施1秒-100秒者。42﹒如申请专利范围第38或39项所述之方法,其中光学记录材料用之组成物之层的厚度为1-20m者。43﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其中该有机金属化合物之金属或较有机金属化合物之金属更贵重之金属之薄层的厚度为2-1000A者。44﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其中该有机金属化合物之金属或较有机金属化合物之金属更贵重之金属之薄层的厚度为2-1000A者。45﹒如申请专利范围第43项所述之方法,其中该有机金属化合物之金属或较有机金属化合物之金属更贵重之金属之薄层的厚度为10A-200A者。46﹒如申请专利范围第44项所述之方法,其中该有机金属化合物之金属或较有机金属化合物之金属更贵重之金属之薄层的厚度为10A-200A者。47﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其包含在650nm-900nm之半导体雷射之波长区内形成一光吸收剂的薄层之步骤者。48﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其包含在650nm-900nm之半导体雷射之波长区内形成一光吸收剂的薄层之步骤者。49﹒如申请专利范围第47项所述之方法,其中光吸收剂薄层之厚度为1-20A者。50﹒如申请专利范围第48项所述之方法,其中光吸收剂薄层之厚度为1-20A者。51﹒如申请专利范围第38或39项所述之方法,其包含在加热步骤前,将一部份光学记录材料或整个光学记录材料通过一负腹@w记录之资讯之光掩模而曝露至具有曝光能量为10^─7J/cm^2-10^─2J/cm^2之光线5-20秒之步@J者。52﹒如申请专利范围第38或39项所述之方法,其包含在加热步骤后,将一部份光学记录材料或整个光学记录材料通过一负载欲预记录之资讯之光掩模而曝露至具有曝光能量为10^─1╮@堙諲騪2-10^5J/cm^2之光线100秒-10秒之步骤者。53﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其包含在加热步骤后将一透明有机聚合化合物之薄膜或片层合在光学记录材料上之步骤者。54﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其包含在加热步骤后将一透明有机聚合化合物之薄膜或片层合在光学记录材料上之步骤者。55﹒如申请专利范围第53项所述之方法,其中透明有机聚合化合物为聚碳酸酯者。56﹒如申请专利范围第54项所述之方法,其中透明有机聚合化合物为聚碳酸酯者。57﹒如申请专利范围第38或39项所述之方法,其包含在加热步骤后将一金属、陶瓷、有机聚合化合物、玻璃纤维补强材料或碳纤维之薄膜或片层合在基体上之步骤者。58﹒如申请专利范围第38或39项所述之方法,其包含在加热步骤或曝光步骤后除去基体之步骤者。59﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其中有机聚合化合物具有玻璃化转变温度为40℃-110℃者。60﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其中有机聚合化合物具有玻璃化转移温度为40℃-110℃者。61﹒如申请专利范围第59项所述之方法,其中有机聚合化合物为聚乙烯丁缩醛者。62﹒如申请专利范围第60项所述之方法,其中有机聚合化合物为聚乙烯丁缩醛者。63﹒如申请专利范围第59项所述之方法,其中有机聚合化合物为聚甲基丙烯酸甲酯者。64﹒如申请专利范围第60项所述之方法,其中有机聚合化合物为聚甲基丙烯酸甲酯者。65﹒如申请专利范围第59项所述之方法,其中有机聚合化合物为聚碳酸酯者。66﹒如申请专利范围第60项所述之方法,其中有机聚合化合物为聚碳酸酯者。67﹒如申请专利范围第59项所述之方法,其中有机聚合化合物为氯乙烯─醋酸乙烯共聚物者。68﹒如申请专利范围第60项所述之方法,其中有机聚合化合物为氯乙烯─醋酸乙烯共聚物者。69﹒如申请专利范围第59项所述之方法,其中有机聚合化合物为聚异丁烯者。70﹒如申请专利范围第60项所述之方法,其中有机聚合化合物为聚异丁烯者。71﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其中有机金属化合物为在有机金属化合物之金属或较有机金属化合物之金属更贵重之金属的存在下,在温度为50℃-200℃温热下,可藉自行分解形成金属粒子者。72﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其中有机金属化合物为在有机金属化合物之金属或较有机金属化合物之金属更贵重之金属的存在下,在温度为50℃-200℃温热下,可藉自行分解形成金属粒子者。73﹒如申请专利范围第71项所述之方法,其中有机金属化合物为草酸之金属盐,该金属盐之金属为银、金、铜、碲、铋、钯、钴、镍、铅、铬或钛者。74﹒如申请专利范围第72项所述之方法,其中有机金属化合物为草酸之金属盐,该金属盐之金属为银、金、铜、碲、铋、钯、钴、镍、铅、铬或钛者。75﹒如申请专利范围第38或39项所述之方法,其中有机金属化合物为可藉还原形成金属粒子者及该组成物包含一可还原有机金属化合物之有机金属化合物者。76﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其中有机金属化合物为一低分子量有机银化合物者。77﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其中有机金属化合物为一低分子量有机银化合物者。78﹒如申请专利范围第76项所述之方法,其中低分子量有机银化合物为羧酸之银盐、长链羧酸之银盐、过氟羧酸之银盐、其氟原子部份被氯原子取代之过氟羧酸之银盐、磺酸之银盐、亚磺酸之银盐、由含氟钳合剂所形成之银钳合物化合物、硫代胺基甲酸银、银钳合物化合物、含氮化合物之银盐或与配位化合物给合之银盐者。79﹒如申请专利范围第77项所述之方法,其中低分子量有机银化合物为羧酸之银盐、长链羧酸之银盐、过氟羧酸之银盐、其氟原子部份被氯原子取代之过氟羧酸之银盐、磺酸之银盐、亚磺酸之银盐、由含氟钳合剂所形成之银钳合物化合物、硫代胺基甲酸银、银钳合物化合物、含氮化合物之银盐或与配位化合物络合之银盐者。80﹒如申请专利范围第78项所述之方法,其中有机银化合物为长链羧酸之银盐者。81﹒如申请专利范围第79项所述之方法,其中有机银化合物为长链羧酸之银盐者。82﹒如申请专利范围第80项所述之方法,其中长链羧酸之银盐为山(廿俞)酸银者。83﹒如申请专利范围第81项所述之方法,其中长链羧酸之银盐为山(廿俞)酸银者。84﹒如申请专利范围第76项所述之方法,其中有机银化合物可溶于溶剂或疏水黏合剂中者。85﹒如申请专利范围第77项所述之方法,其中有机银化合物可溶于溶剂或疏水黏合剂中者。86﹒如申请专利范围第84项所述之方法,其中有机银化合物为过氟羧酸之银盐者。87﹒如申请专利范围第85项所述之方法,其中有机银化合物为过氟羧酸之银盐者。88﹒如申请专利范围第86项所述之方法,其中过氟羧酸之银盐为三氟醋酸银者。89﹒如申请专利范围第87项所述之方法,其中过氟羧酸之银盐为三氟醋酸银者。90﹒如申请专利范围第86项所述之方法,其中过氟羧酸之银盐为七氟丁酸银者。91﹒如申请专利范围第87项所述之方法,其中过氟羧酸之银盐为七氟丁酸银者。92﹒如申请专利范围第78项所述之方法,其中由含氟钳合剂所形成之银钳合物化合物为三氟乙醯丙酮酸银者。93﹒如申请专利范围第79项所述之方法,其中由含氟钳合剂所形成之银钳合物化合物为三氟乙丙酮酸银者。94﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其中有机金属化合物为一高分子量有机银化合物者。95﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其中有机金属化合物为一高分子量有机银化合物者。96﹒如申请专利范围第94项所述之方法,其中分子量银化合物为高分子量羧酸之银盐共聚羧酸之银盐或高分子量银钳合物化合物者。97﹒如申请专利范围第95项所述之方法,其中分子量银化合物为高分子量羧酸之银盐共聚羧酸之银盐或高分子量银钳合物化合物者。98﹒如申请专利范围第96项所述之方法,其中高分子量聚羧酸之银盐为用或不用可聚合单体化合物自银离子化合物及丙烯酸或甲基丙烯酸或丙烯酸或甲基丙烯酸之硷或硷土金属盐之聚合物所衍生者。99﹒如申请专利范围第97项所述之方法,其中高分子量聚羧酸之银盐为用或不用可聚合单体化合物自银离子化合物及丙烯酸或甲基丙烯酸或丙烯酸或甲基丙烯酸之硷或硷土金属盐之聚合物所衍生者。100﹒如申请专利范围第98项所述之方法,其中高分子量聚羧酸之银盐为聚丙烯酸银者。101﹒如申请专利范围第99项所述之方法,其中高分子量聚羧酸之银盐为聚丙烯酸银者。102﹒如申请专利范围第96项所述之方法,其中聚羧酸之银盐为藻朊酸银或果胶酸银者。103﹒如申请专利范围第97项所述之方法,其中聚羧酸之银盐为藻朊酸银或果胶酸银者。104﹒如申请专利范围第38项之方法,其中可还原有机金属化合物之化合物为单羟基苯、聚羟基苯、醇、羟基二基、羟基胺、@ J酮、苯二胺、胺基苯酚、磺醯胺基苯酚、亚甲基双酚及其中一届@峇G个空间上蓬松基被黏合至邻接黏合羟基之碳原子之碳原子或诸碳迭@鴗l者。105﹒如申请专利范围第39项之方法,其中可还原有机金属化合物之化合物为单羟基苯、聚羟基苯、醇、羟基二基、羟基胺、唑烷酮、苯二胺、胺基苯酚、磺醯胺基苯酚、亚甲基双酚及其中一或二个空间上蓬松基被黏合至邻接黏合羟基之碳原子之碳原子或诸碳原子者。106﹒如申请专利范围第104项之方法,其中可还原有机金属化合物之化合物为受阻酚者。107﹒如申请专利范围第105项之方法,其中可还原有机金属化合物之化合物为受阻酚者。108﹒如申请专利范围第106项所述之方法,其中受阻酚为下式所表示之化合物(其中,R^3.R^4.R^5及R^6各为C1─8烷基环戊基,环己基或卤原子;而R^7及R^8为氢原子,苯基或C1─8烷基。)109﹒如申请专利范围第107项所述之方法,其中受阻酚为下式所表示之化合物(其中,R^3.R^4.R^5及R^6各为C1─8烷基环戊基,环己基或卤原子;而R^7及R^8为氢原子,苯基或C1─8烷基。)110﹒如申请专利范围第106项之方法,其中受阻酚为下式所表示之化合物(其中,R^9为C4─╮@陕租胪G或第三烷基、环己基或用C1─6烷基之环己基;R^10为C1─6烷基;R^11为C1─10烷基、C1─10烷氧基、C╮@窖w12芳基、C2─10链烯基或用C1─10烷基链合之基、C╮@窖w12环烷基、C2─10链烯基、C6─12芳基或通过酯链之╮@悢陕w12芳烷基;R^12为C1─6烷基或C1─6烷氧基;R^╮@陕痊陕悢陕w6烷基;及R^14为氢原子或C1─6烷基)。111﹒如申请专利范围第107项之方法,其中受阻酚为下式所表示之化合物(其中,R^9为C4─10第二或第三烷基、环己基或央@峚悢陕w6烷基之环己基;R^10为C1─6烷基;R^11为C1╮@w10烷基、C1─10烷氧基、C6─12芳基、C2─10链烯陛@簼峊峚悢陕w10烷基链合之基、C6─12环烷基、C2─10链瓷@m基、C6─12芳基或通过酯链之C1─12芳烷基:R^12为C1─6烷基或C1─6烷氧基;R^13为C1─6烷基;及R^14为氢原子或C16烷基。112﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其中组成物包含卤化银或卤化银形成化合物者。113﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其中组成物包含卤化银或卤化银形成化合物者。114﹒如申请专利范围第112项所述之方法,其中卤化银或硷化银化合物之量为与莫耳有机金属化合物0﹒01-0﹒5莫耳者。115﹒如申请专利范围第113项所述之方法,其中卤化银或卤化银化合物之量为与莫耳有机金属化合物0﹒01-0﹒5莫耳者。116﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其中组成物在650nm-900nm之半导体雷射之波长区内包含一光吸收剂者。117﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其中组成物在650nm-900nm之半导体雷射之波长区内包含一光吸收剂者。118﹒如申请专利范围第116项所述之方法,其中光吸收剂为花青染料者。119﹒如申请专利范围第117项所述之方法,其中光吸收剂为花青染料者。120﹒如申请专利范围第116项所述之光学记录材料,其中光吸收剂为薁染料者。121﹒如申请专利范围第117项所述之光学记录材料,其中光吸收剂为薁染料者。122﹒如申请专利范围第116项所述之光学记录材料,其中光吸收剂为镍─二硫醇络合物者。123﹒如申请专利范围第117项所述之光学记录材料,其中光吸收剂为镍─二硫醇络合物者。124﹒如申请专利范围第116项所述之方法,其中光吸收剂之量为每莫耳有机金属化合物0﹒01-0﹒5莫耳者。125﹒如申请专利范围第117项所述之方法,其中光吸收剂之量为每莫耳有机金属化合物0﹒01-0﹒5莫耳者。126﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其中组成物包含调色剂者。127﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其中组成物包含调色剂者。128﹒如申请专利范围第126项所述之方法,其中调色剂为酮者。129﹒如申请专利范围第127项所述之方法,其中调色剂为酮者。130﹒如申请专利范围第126项所述之方法,其中调色剂之量为每莫耳有机金属化合物0﹒01-5﹒0莫耳者。131﹒如申请专利范围第127项所述之方法,其中调色剂之量为每莫耳有机金属化合物0﹒01-5﹒0莫耳者。132﹒如申请专利范围第38项所述之方法,其中组成物包含抗雾化剂者。133﹒如申请专利范围第39项所述之方法,其中组成物包含抗雾化剂者。134﹒如申请专利范围第132项所述之方法,其中抗雾化剂为1,1,1',1'─四溴─邻二甲苯者。135﹒如申请专利范围第133项所述之方法,其中抗雾化剂为1,1,1',1'─四溴─邻二甲苯者。136﹒如申请专利范围第132项所述之方法,其中抗雾化剂之量为每莫耳有机金属化合物0﹒01-5﹒0莫耳者。137﹒如申请专利范围第133项所述之方法,其中抗雾化剂之量为每莫耳有机金属化合物0﹒01-5﹒0莫耳者。138﹒一种具有如申请专利范围第1项所述之光学记录材料之光学卡片者。139﹒如申请专利范围第138项所述之光学卡片,其中欲读取之资讯被预记录于光学记录材料内者。140﹒如申请专利范围第139项所述之光学卡片,其中欲读取之资讯被预记录于光学记录材料之一部份内者。141﹒如申请专利范围第138项所述之光学卡片附加包含类比资讯者。142﹒如申请专利范围第141项所述之光学卡片,其中类比资讯可证实光学卡片之拥有人者。143﹒如申请专利范围第141项所述之光学卡片,其中光学记录材料被设在光学卡片之一表面上而类比资讯被设在光学卡片之另一表面上者。144﹒如申请专利范围第138项所述之光学卡片,其进一步包含磁性记录材料者。145﹒如申请专利范围第144项所述之光学卡片,其中光学记录材料被设在光学卡片之一表面上而磁性记录材料则被设在光学卡片之另一方面上者。146﹒如申请专利范围第144项所述之光学卡片,其中光学记录材料则被设在光学卡片之表面上者。147﹒如申请专利范围第1╮@郭雀筒珥z之光学卡片,其中欲读取之资讯被预记录于磁性记录材料丑@漯怴C148﹒如申请专利范围第138项所述之光学卡片,其进一步包含积体电路者。 |
