| 发明名称 |
DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORE AVENTE UNO STRATO DI BLOCCO DEL CANALE DOPPIAMENTE DROGATO E SUO METODO DI FABBRICAZIONE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
ITMI910106(D0) |
申请公布日期 |
1991.01.18 |
| 申请号 |
IT1991MI00106 |
申请日期 |
1991.01.18 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS |
发明人 |
SIN YUN-SEUNG;KIM KYUNG-TAE;KANG JUN |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8242;H01L27/08;H01L27/092;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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