PRECURSORS FOR METAL FLUORIDE DEPOSITION AND USE THEREOF.

摘要

Un procédé pour former une couche d'un fluorure du groupe II ou III sur un substrat semi-conducteur (par exemple comme couche épitaxiale isolante) consiste à vaporiser un précurseur (I), où M est Be, Ca, Sr, Ba ou lanthanide, b et d valent 0 ou 1. A, B, C et D sont indépendamment (IIA) ou (IIB), X étant O, S, NR, PR où R est H, alkyle, perfluoroakyl; Y est perfluoroalkyl, fluoroalkényl, fluoralkylamine ou fluoroalkénylamine; Z est H, F, alkyle, perfluoroalkyl ou perfluoroalkényl; et ensuite à décomposer la vapeur du précurseur pour former du fluorure de métal. Un précurseur préféré pour le CaF2 est un complexe de calcium 1,1,1,5,5,5-hexafluor-2,4-pentanedione où b et d valent 0.