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发明名称
MOS memory cell with exponentially-profiled doping and offset floating gate tunnel oxidation
摘要
申请公布号
US4985717(A)
申请公布日期
1991.01.15
申请号
US19890313648
申请日期
1989.02.21
申请人
NATIONAL SEMICONDUCTOR
发明人
ARONOWITZ, SHELDON;FORSYTHE, DONALD D.;WALKER, GEORGE P.;GADEPALLY, BHASKAR V. S.
分类号
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/788;H01L29/792
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
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