| 发明名称 |
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DOTIERTER WANNEN IN INTEGRIERTEN SCHALTUNGEN UND DESSEN ANWENDUNG BEI DER HERSTELLUNG EINES BIPOLAREN TRANSISTORS IN DERARTIGEN SCHALTUNGEN. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE3766397(D1) |
申请公布日期 |
1991.01.10 |
| 申请号 |
DE19873766397 |
申请日期 |
1987.02.13 |
| 申请人 |
STC PLC, LONDON, GB |
发明人 |
HUNT, ROWLAND GEOFFREY, BASILDON ESSEX, GB |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L21/74;(IPC1-7):H01L21/74;H01L21/265;H01L29/36 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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