| 摘要 |
<p>Beschrieben wird ein Verfahren zum anisotropen Ätzen halbleitender Materialien, das zur Verwendung in Reinsträumen geeignet ist und hohe Selektivität gegenüber Aluminium aufweist. Die Ätzlösung enthält ein Hydroxyd, Wasser und Silizium. Leiterbahnen und Kontakte aus Aluminium werden durch dieses Verfahren nicht angegriffen.</p> |
