Bipolar transistor with reduced parasitic capacitance,申请号US19880175263-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	Bipolar transistor with reduced parasitic capacitance
摘要
申请公布号	US4984053(A)	申请公布日期	1991.01.08
申请号	US19880175263	申请日期	1988.03.30
申请人	SONY CORPORATION	发明人	KAYANUMA, AKIO
分类号	H01L29/73;H01L21/331;H01L29/732	主分类号	H01L29/73
代理机构		代理人
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