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发明名称 Method for fabricating a silicon carbide substrate
摘要
申请公布号 US4983538(A) 申请公布日期 1991.01.08
申请号 US19880271878 申请日期 1988.11.16
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 GOTOU, HIROSHI
分类号 H01L21/20;H01L21/02;H01L21/04;H01L21/314;H01L21/336;H01L21/76;H01L29/24;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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