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发明名称 INP/GALNASP DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASER DIODE WITH BURIED ACTIVE LAYER, AND METHOD FOR ITS PRODUCTION
摘要
申请公布号 EP0373637(A3) 申请公布日期 1990.12.27
申请号 EP19890123072 申请日期 1989.12.13
申请人 MAGYAR TUDOMANYOS AKADEMIA MUSZAKI FIZIKAI KUTATO INTEZETE 发明人 RAKOVICS, VILMOS,;LENDVAY, ODON DR.,;LABADI, ZOLTAN,;HABERMAYER, ISTVAN DR.,
分类号 H01S5/00;H01L33/00;H01S5/227;H01S5/323;(IPC1-7):H01S3/19 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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