| 摘要 |
<p>Die Vakuum-Einrichtung umfasst eine, an eine Vakuum-Pumpe (6) und an eine Gasquelle (11) anschliessbare, der Aufnahme von Haltermittel (5) für die Substrate (15) dienende Vakuum-Kammer (4), deren Innenraum von hochfrequenten Schwingungen zwischen den Elektroden (3) eines Hochfrequenz-Generators (1) durchsetzbar ist. Durch eine solche Plasmabehandlung der Substrate wird eine Veränderung deren Oberfläche erreicht, derart, dass sich die nachfolgende Schicht mit einer bisher nicht erreichten Haftfestigkeit aufbringen lässt.</p> |
