发明名称 | 用于存储器装置的读出放大器驱动器 | ||
摘要 | 一种用于存储器装置的读出放大器驱动器包括:将读出时钟反相的第一反相器;再将第一反相器的输出反相的第二反相器;由多个NMOS管组成的第三反相器,其晶体管的漏极共同接到读出放大器低电位端;位于第三反相器晶体管栅极间并与第二反相器输出端并联的延时电阻,使晶体管响应第二反相器的输出在不同时刻相继导通;下拉装置,用于至少将第三反相器中的一个NMOS管的栅极电压强行下拉到地电位。本发明可降低峰值电流并使操作功率保持最小。 | ||
申请公布号 | CN1048118A | 申请公布日期 | 1990.12.26 |
申请号 | CN90104070.3 | 申请日期 | 1990.06.02 |
申请人 | 韩商三星电子股份有限公司 | 发明人 | 徐承模 |
分类号 | G11C7/06 | 主分类号 | G11C7/06 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1、一种用于存储器装置的读出放大器驱动器,包括利用多阶斜率的读出启动信号来驱动一个耦合在读出放大器低电位端的读出晶体管,用以读出存储在存储器单元中的数据,它包括:第一反相器,用于将读出时钟反相;第二反相器,用于对第一反相器的输出再进行反相;第三反相器,包括位于几个晶体管栅极之间的延时电阻,它与所述第二反向器的端部并联以使所述晶体管响应所述第二反相器的输出而在不同时刻相继地被导通,并且还包括n沟道晶体管,它们具有的漏极共同地连接在所述读出放大器的低电位端;及一个下拉装置,用于在读出时钟禁止时,将具有延时特性及位于所述第三反相器中的至少一个n沟道MOS晶体管的栅极电压强行下拉到地电位。 | ||
地址 | 南朝鲜 |