发明名称 半导体集成电路中的内电压变换器
摘要 半导体集成电路中的一种内电压变换器包括:一个振荡器、一个子电路、一个主电路和一个检测器,所述子电路包含一个缓冲器、一个电荷抽运电路及一个功率部分,所述主电路包含一个缓冲器、一个电荷抽运电路及一个功率部分。并联组成的多个电压变换级在操作时是可分开运行的,因而在提供备用电源的场合可减少不必要的电力消耗,同时还改进了内电源电压的稳定性。
申请公布号 CN1048122A 申请公布日期 1990.12.26
申请号 CN90104365.6 申请日期 1990.06.09
申请人 三星电子株式会社 发明人 闵东暄
分类号 H01L27/10;H01L23/58 主分类号 H01L27/10
代理机构 中国专利代理有限公司 代理人 肖掬昌;肖春京
主权项 1、一种半导体集成电路中的内电压变换器,其特征在于它包括:一个振荡器,用以产生方波信号;一个子电路,包含一个缓冲器、一个电荷抽运电路和一个功率部分,所述缓冲器用于接收所述振荡器的方波信号,所述电荷抽运电路借助接收缓冲器的输出用于产生受激参数输出,所述功率部分用于把电荷抽运电路的输出控制到某一内电压电平并提供电源电压;一个主电路,包含一个缓冲器、一个电荷抽运电路和一个功率部分,所述缓冲器用于接收所述振荡器的方波信号和来自检测器的检测信号,所述电荷抽运电路借助接收缓冲器的输出用于产生某一受激参数输出,所述功率部分把电荷抽运电路的输出控制到某一内电压电平并提供电源电压;以及所述检测器,通过检测内电源电压,以控制所述主电路中缓冲器的操作。
地址 南朝鲜京畿道水原市