| 发明名称 |
GAAS SUBSTRATE FOR VAPOR PHASE GROWTH AND METHOD FOR CARRYING OUT ITS PRETREATMENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02311400(A) |
申请公布日期 |
1990.12.26 |
| 申请号 |
JP19890130052 |
申请日期 |
1989.05.25 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
发明人 |
NAKAI RIYUUSUKE |
| 分类号 |
C30B25/18;C30B29/42;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B25/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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