一种延长功率晶体管寿命的工艺

摘要

一种延长功率晶体管寿命的工艺。本发明涉及功率晶体管集电极欧姆接触形成工艺。本发明针对已有工艺中管芯背部金属化时，上粘附层金属与硅芯片低温下不能形成金属硅化物的缺点。本发明集电极上粘附层采用金属铌(Nb)，并在溅射装置中低温(100-300℃)下形成Nb-Si化合物，加强了上粘附层与芯片的粘附力，从而提高了功率晶体管的寿命。

主权项

1一种延长功率晶体管寿命的工艺，是在管芯完成前工序后，进行背部金属化时上粘附层3采用了金属铌，然后完成后工序，其特征在于，用溅射的方法溅射Nb，在溅射装置中100℃-300℃条件下Nb与硅芯片形成Nb-Si化合物。