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发明名称 Method of manufacturing bipolar transistor having a reduced parasitic capacitance
摘要
申请公布号 US4980302(A) 申请公布日期 1990.12.25
申请号 US19890446364 申请日期 1989.12.05
申请人 NEC CORPORATION 发明人 SHIMIZU, JUNZOH
分类号 H01L29/73;H01L21/225;H01L21/285;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/732 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
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