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发明名称 Method of making a passivated P-N junction in mesa semiconductor structure
摘要
申请公布号 US4980315(A) 申请公布日期 1990.12.25
申请号 US19890365519 申请日期 1989.06.13
申请人 GENERAL INSTRUMENT CORPORATION 发明人 EINTHOVEN, WILLEM G.;DOWN, LINDA J.
分类号 H01L21/22;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861;H01L29/866 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
主权项
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