| 主权项 |
1.一种雷射装置,系包括有:配置于全反射镜与部份反射镜之间的雷射介质、含有该全反射镜和该部份反射镜之共振器、激励上述雷射介质用之激励装置、及用以调整从该部份反射镜通过之输出雷射束之相位用的相位调整器等者。2﹒如申请专利范围第1项所述之雷射装置,系包括有:一个部份反射部份──此部份反射部份系形成于该部份反射镜之母体之中央部份;一个较低反射部份此部份系形成于该部份反射部份之周围,具有比该部份反自t部份较低之反射率;该较低反射部份之厚度系不同于该部份反射部份之厚度,俾叫消除雷射束通过该部份反射部份和较低反射部份所产生之相位差者。3﹒如申请专利范围第2项所述之雷射装置,其中该部份反射部份和该较低反射部份之间的厚度差,系可藉调整形成于该母体上之薄膜的厚度加以调整者。4﹒如申请专利范围第3项所述之雷射装置,其中该薄膜系形成该该母体与该部份反射部份及较低部份之间者。5﹒如申请专利范围第2项所述之雷射装置,其中该部份反射部份与该较低反射部份之厚度差,系藉形成于该母体之至少一表面之凹部来达成者。6.如申请专利范围第1项、第2项、第3项、第4项或第5项所述之雷射装置,其中该雷射介质系采用气体介质者。7.如申请专利范围第l项、第2项、第3项、第4项或第5项所述之雷射装置,其中该雷射介质系采用固态雷射元件者。8.如申请专利范围第7项所述之雷射装置,其中该全反射镜系将该固态雷射元件之一端部表面予以蚀刻,并蒸镀以金属薄膜所形成者。9﹒如申请专利范围第8项所述之雷射装置,其中该输出镜系将该固态雷射元件之另一端部表面予以蚀刻,并蒸镀以部份反射涂膜和/或较低反射涂膜所形成者。10﹒如申请专利范围第l项、第2项、第3项、第4项或第5项所述之雷射装置,其中该共振器,系使用不稳定型共振器者。11﹒如申请专利范围第8项所述之雷射装置,其中该共振器系使用不稳定型共振器者。12.如申请专利范围第9项所述之雷射装置,其中该共振器系使用不稳定型共振器者。13﹒如申请专利范围第1项、第2项、第3项、第4项或第5项所述之雷射装置,其中该共振器系使用稳定型共振器者。14﹒如申请专利范围第8项所述之雷射装置, 其中该共振器系使用稳定型共振器者。15.如申请专利范围第9项所述之雷射装置,其中该共振器系使用稳定型共振器者。16.如申讲专利范围第2项所述之雷射装置,其中该相位调整器系包括一个平面之全反射镜,而此全反射镜系安装于从共振器输出雷射之光通道中,上述全反射镜包括有多具有互相不同高度之反射表面之反射部份者。17﹒如申请专利范围第1项、第2项、第3项、第4项或第5项所述之雷射装置,系加设有一个辅助光源,而此辅助光源系用以沿光轴方向补强激励该固态雷射元件之一部份者。18.如申请专利范围第8项所述之雷射装置,系加设有一个辅助光源,而此辅助光源系用以沿光轴方向补强激励该固态雷射元件之一部份者。19.如申请专利范围第9项所述之雷射装置,系加设有一个辅助光源,而此补助光源系用以沿光轴方向补强激励该固态雷射元件之一部份者。20﹒如申请专利范围第16项所述之雷射装置,系加设有一个辅助光源,而此辅助光源系用以沿光轴方向补助强激励该固态雷射元件之一部份者。图示简单说明:第1图为本发明之雷射装置之第1实施例的剖面图。第2a及2b图系分别表示本发明之雷射装置所获得的雷射束之特性图。第3图~第5图系分别表示本发明雷射装置之雷射输出镜的一实例之截面图。第6图系表示本发明之雷射装置所获得的验出雷射束之相位差对光点直经与功率集中之关系图。第7图系表示本发明之雷射装置所获得的输出雷射束之涂膜厚度对磁导率与相位差之关系图。第8图为本发明雷射装置之第2实施例之剖面图。第9图及第10图为本发明雷射装置之输出镜的另一实例之剖面图。第11图为本发明雷射装置之第3实施例之剖面图。第12图及第13图为本发明雷射装置之输出镜的其他实施例之剖面图。第14图至第第25图系分别表示本发明之雷射装置的第4实施例之剖面图。第26图至第38图系分别表示本发明之雷射装置之第5实施例之剖面图。第39图系表示本发明雷射装置之第6实施例的剖面图。第40图至第42图系分别表示本发明雷射装置之第7实施例之剖面图。第43图系表示本发明雷射装置之第7实施例的示意剖面图。第44a图至第44b图系表示本发明雷射装置所获得之输出雷射束的相位均匀度说明图。第45图至第48图系分别表示本发明雷射装置之相位调整器之其他实例说明图。第49图系表示传统雷射装置之剖面图。第50a图及第50b图系表示第49图所示之传统装置所获得的输出雷射束之分布图。 |
