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发明名称 PROTECTED MOS TRANSISTOR CIRCUIT
摘要
申请公布号 EP0215493(B1) 申请公布日期 1990.12.19
申请号 EP19860113189 申请日期 1986.09.25
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 SUZUKI, YOUICHI PATENT DIVISION;SEGAWA, MAKOTO PATENT DIVISION;ARIIZUMI, SHOJI PATENT DIVISION;KONDO, TAKEO PATENT DIVISION;MASUOKA, FUJIO PATENT DIVISION
分类号 H01L27/06;H01L29/78;H01L27/02;H01L29/866;H02H7/20;H03F1/00;H03F1/42;H03F1/52 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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