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经营范围
发明名称
ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMABLE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING DUAL-CONTROL GATE
摘要
申请公布号
EP0138439(B1)
申请公布日期
1990.12.19
申请号
EP19840306502
申请日期
1984.09.24
申请人
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人
SHIBATA, TADASHI C/O PATENT DIVISION
分类号
H01L27/115;G11C16/04
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
主权项
地址
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