发明名称 FORMING METHOD FOR ALUMINUM DIFFUSED LAYER ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH02301132(A) 申请公布日期 1990.12.13
申请号 JP19890121056 申请日期 1989.05.15
申请人 FUJI ELECTRIC CO LTD 发明人 NAGANO MEGUMI
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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