METHOD OF PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES

摘要

Procédé de production de dispositifs à semi-conducteur dans lesquels un substrat semi-conducteur composite est contenu dans une ampoule de quartz en présence d'oxygène à l'état gazeux et d'éléments constituant le substrat; l'ampoule est ensuite scéllée et chauffée pour former un film d'oxyde à la surface du substrat semi-conducteur composite, après quoi on dépose sur cette surface une couche métallique faisant office d'électrode. On forme ainsi une diode MOS présentant une faible densité au niveau de l'interface et une électrode Schottky présentant une hauteur de barrière importante et un facteur idéal réduit. On obtient notamment une diode Schottky présentant de bonnes caractéristiques de courant direct par rapport à la tension, un faible courant inverse et d'excellentes propriétés de redressement, de même qu'un MESFET présentant de faibles variations de la tensioin de seuil.