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发明名称 POWER MOSFET HAVING A HIGH BREAKDOWN VOLTAGE
摘要
申请公布号 EP0387917(A3) 申请公布日期 1990.12.12
申请号 EP19900105744 申请日期 1990.03.13
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 BERGMANN, RAINER, DIPL.-ING.;GANTIOLER, JOSEF, DIPL.-ING.;HEIL, HOLGER, DIPL.-PHYS.;STENGL, JENS-PETER
分类号 H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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