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发明名称 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HOCHINTEGRIERTEN KOMPLEMENTAEREN MOS-FELDEFFEKTTRANSISTORSCHALTUNGEN.
摘要
申请公布号 DE3765844(D1) 申请公布日期 1990.12.06
申请号 DE19873765844 申请日期 1987.03.26
申请人 SIEMENS AG, 8000 MUENCHEN, DE 发明人 NEPPL, DR., FRANZ, D-8000 MUENCHEN 90, DE;JACOBS, DR., ERWIN, D-8011 VATERSTETTEN, DE;WINNERL, DR., JOSEF, D-8300 LANDSHUT, DE;MAZURE-ESPEJO, DR., CARLOS-ALBERTO, D-8011 KIRCHSEEON, DE
分类号 H01L21/82;H01L27/08;(IPC1-7):H01L21/82 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人
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