VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTKREISANORDNUNG MIT EINEM MISFET.,申请号DE19843483531-传众专利搜索

发明名称	VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTKREISANORDNUNG MIT EINEM MISFET.
摘要
申请公布号	DE3483531(D1)	申请公布日期	1990.12.06
申请号	DE19843483531	申请日期	1984.12.24
申请人	HITACHI, LTD., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	OKUYAMA, KOUSUKE HITACHI-NISHIKISO 205, TACHIKAWA-SHI TOKYO, JP;SUZUKI, NORIO HITACHI-MAEHARA-RYO, KOGANEI-SHI TOKYO, JP;MEGURO, SATOSHI, NISHITAMA-GUN TOKYO, JP;NAGASAWA, KOUICHI, KUNITACHI-SHI TOKYO, JP
分类号	H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/82;H01L21/00;H01L21/265;H01L21/28;H01L27/08	主分类号	H01L27/092
代理机构		代理人
主权项
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