发明名称 NOVEL ARCHITECTURE FOR A FLASH ERASE EPROM MEMORY
摘要
申请公布号 EP0370416(A3) 申请公布日期 1990.12.05
申请号 EP19890121391 申请日期 1989.11.18
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 AMIN, ALAAELDIN COMPUTER ENG. DEP. P.O. BOX 1597
分类号 G11C17/00;G11C16/06;G11C16/26;G11C16/34;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;H01L27/10 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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