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Das Verfahren sieht vor, die Halbleiterkristallscheibe (3) zwischen zwei elektrolytgefüllte Halbzellen (1,2) zu bringen, so daß ihre Vorder- und Rückseite (9,10) jeweils mit einem Elektrolyten (5,6) in Kontakt stehen. In den Elektrolyten befindet sich je eine Elektrode (7, 8), zwischen denen eine Gleichspannung angelegt wird, so daß der Halbleiter/Elektrolyt-Kontakt der einen Halbzelle in Durchlaß- und der anderen in Sperrichtung gepolt ist. Ein Stromfluß durch den Halbleiterkristallkörper (3) hindurch wird dadurch ermöglicht, daß die sperrende Oberfläche des Halbleiterkristalls (3) beleuchtet und dadurch Ladungsträger erzeugt werden. Durch die Wahl geeigneter Elektrolyten und der Beleuchtungsstärke sind hohe Stromdichten auch bei hochohmigen Halbleiterkristallscheiben sowie Halbleiterkristallkörpern mit Dotierstufen oder pn-Übergängen möglich. Das Verfahren kann bei vielen Halbleiterbearbeitungs- und -analyseverfahren eingesetzt werden. <IMAGE>
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