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L'invention concerne la technologie des semiconducteurs.Un transistor à effet de champ à grille isolée conforme à l'invention comprend notamment une couche de semiconducteur d'un premier type de conductivité 2, une grille 24 entourée par une couche isolante 24a, 24b, 24c, une région d'un second type de conductivité 25, adjacente à la périphérie de la grille, et une région du premier type de conductivité 26 formée le long de la surface latérale de la couche isolante, au moins dans la partie supérieure de la grille.Application à la fabrication des transistors MOS de puissance.
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