Semiconductor memory arrangement using capacitors with two electrodes situated inside a groove, and method of producing the same.

摘要

Die angegebene Anordnung weist Speicherzellen bestehend aus MOS-Transistoren und Grabenkondensatoren auf, wobei der Graben (4) überlappend zum Randbereich des die Zellen isolierenden Feldoxyds (3) geätzt wird. Die Grabeninnenwand ist mit einer isolierenden Schicht (7) versehen, die Elektroden (10,12) des Kondensators bestehen aus zwei aufgebrachten leitenden Schichten, die beide senkrecht im Graben ausgebildet sind (sogenannter stacked trench capacitor). Durch eine seitliche Öffnung der Innenwandisolationsschicht (7) an der oberen Grabenkante erfolgt der Anschluß (9) der ersten Kondensatorelektrode (10) an das Sourcegebiet (14) des Auswahltransistors. Die erste Elektrode (10) wird als Spacer vollständig innerhalb des Grabens (4) ausgebildet. Mit den angegebenen Verfahren kann der Grabenkontakt (9) entweder selbstjustiert oder mit einer einfachen Fototechnik erzeugt werden. Die Halbleiterspeicheranordnung kann für 16-M-Speicher eingesetzt werden.