| 发明名称 |
RASTREMAZIONE DI FORI ATTRAVERSO STRATI DIELETTRICI PER FORMARE CONTATTI IN DISPOSITIVI INTEGRATI. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1225631(B) |
申请公布日期 |
1990.11.22 |
| 申请号 |
IT19880083682 |
申请日期 |
1988.11.16 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
PIER LUIGI CROTTI;NADIA IAZZI |
| 分类号 |
H01L21/3213;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/768;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/3213 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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