Optoelectronic device.

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Optoelektronisches Bauelement mit Si- oder III-V-Halbleiter-Schicht und Dotierung mit Lanthaniden zur Erzeugung eines opischen Signals, dessen Wellenlänge durch das 4f-Ion bestimmt ist. Es ist Aufgabe der Erfindung, ein derartiges Bauelement zu schaffen, daß aus Si- oder III-V Halbleitermaterialen integrierbar ist. Erfindungsgemäß ist hierzu eine auf die Si- oder Halbleiter-Schicht aufgewachsene Fluoridschicht vorgesehen, in die Lanthanid-Ionen eingebaut sind. Die Fluoridschicht kann dabei sowohl polykristallin als auch epitaktisch auf die Schicht aufgewachsen sein. Dabei stimmt die Wertigkeit der Lanthanid-Ionen mit der Wertigkeit mindestens einer der Metallkomponente des Fluorids überein. <IMAGE>