Bipolar Bump transistor and method for its manufacture.

摘要

Es wird ein bipolarer Bump-Transistor und ein Verfahren zu seiner Herstellung angegeben, wobei die Basiszone (7) und die Emitterzone (8) innerhalb einer aus der Kollektorzone (4) in dem Trägerkörper (1) gebildeten Umrandung ausgebildet sind und der Anschluß an die drei genannten aktiven Zonen des Transistors mittels auf der Oberfläche (31) des Trägerkörpers (1) angeordnete Kontakt-Bumps (11, 12, 13) erfolgt.