| 发明名称 |
MANUFACTURE OF INSULATED GATE TYPE TRANSISTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH02281619(A) |
申请公布日期 |
1990.11.19 |
| 申请号 |
JP19890102773 |
申请日期 |
1989.04.21 |
| 申请人 |
SEIKOSHA CO LTD;NIPPON PRECISION CIRCUITS KK |
发明人 |
NOMURA YOSHIO |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/336;H01L23/52;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
